اخبار 57

رشد ۸.۵ درصدی پتنت‌های نانو در سال ۲۰۲۰/توسعه کاربرد نانو فناوری در حوزه کرونا

رشد ۸.۵ درصدی پتنت‌های نانو در سال ۲۰۲۰/توسعه کاربرد نانو فناوری در حوزه کرونا

در سال ۲۰۲۰ بیش از ۱۲۹۰۰ پتنت منتشر شده و ۹۵۶۰ پتنت گرنت شده در حوزه فناوری نانو در دفتر ثبت اختراع آمریکا (USPTO) ثبت شدند که در مجموع نسبت به سال گذشته حدود ۸.۵ درصد رشد داشتند.

به گزارش ایسنا، بر اساس گزارش استت نانو، در سال ۲۰۲۰ بیش از ۱۲ هزار و ۹۰۰ پتنت مرتبط با فناوری نانو در دفتر ثبت اختراع آمریکا (USPTO) ثبت شد که ۳ درصد از کل پتنت‌های منتشر شده در این دفتر در سال ۲۰۲۰ را شامل می‌شوند.

این سهم کمتر از یک سوم سهم مقالات نانو از کل انتشارات علمی نمایه شده در WOS است، بدین معنی که تبدیل علم به فناوری در حوزه نانو یک سوم آن چیزی است که در سایر حوزه‌ها در حال انجام است.

نمودارهای ذیل به ترتیب آمار پتنت‌های کل و نانوی ثبت شده در USPTO را در چند سال گذشته به تفکیک گرنت و پابلیش نشان می‌دهد.

1-تعداد کل پتنت‌های گرنت و منتشر(پابلیش) شده در USPTO در 6 سال

2-تعداد پتنت‌های گرنت و منتشر (پابلیش) شده فناوری نانو در USPTO در 6 سال

 

روند کل پتنت‌های پابلیش شده هم برای نانو و هم کل حوزه‌های علمی با یک رشد نسبی در دو سال اخیر، پس از چند سال درجا زدن، همراه بوده است (منحنی نارنجی در شکل ۱ و ۲) در حالی‌که این روند برای پتنت‌های گرنت شده (granted) حالت نوسانی دارد.

رشد این پتنت‌های منتشر (پابلیش) شده در سال ۲۰۲۰ برای کل حوزه‌های علم و فناوری نزدیک به ۵ درصد و برای فناوری نانو حدود ۸.۵ درصد نسبت به سال ۲۰۱۹ است. این رشد می‌تواند با پاندمی کرونا در سال گذشته مرتبط باشد و رشد بیشتر پابلیش‌های نانو احتمالا نشان‌دهنده اقبال بیشتر به استفاده از فناوری نانو برای مبارزه با این بیماری بوده است.

بر اساس اعلام ستاد نانو، نکته دیگر این در این نمودارها فاصله بین تعداد گرنت‌ها و پابلیش‌ها در دو حالت هست. همانطور که از مقایسه دو شکل ۱و ۲ می‌توان دریافت، فاصله بین تعداد گرنت‌ها و پابلیش‌ها در کل پتنت‌ها در حال کم شدن است و در سال ۲۰۱۹ به کمترین مقدار خود رسیده در حالی‌که این فاصله برای پتنت‌های فناوری نانو تغییر چندانی نکرده است. در این مورد احتمالا عوامل دیگری غیر از چالش‌های تجاری سازی دخیل باشند که نیاز به بررسی موردی و تحلیل بیشتر دارد.

انتهای پیام

منبع:ایسنا

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *